SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7898DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.27 EUR bis 5.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7898DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V |
auf Bestellung 13972 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7898DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 10658 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7898DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 15135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7898DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.9W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7898DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7898DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7898DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7898DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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