SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 1.61 EUR |
| 6000+ | 1.55 EUR |
| 9000+ | 1.5 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7938DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.12 EUR bis 3.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
auf Bestellung 12039 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 46325 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 14875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 12823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 18.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 46W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 46W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|