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SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3 Vishay


si7938dp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7938DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7938dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
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91+1.64 EUR
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7938dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 25994 Stücke:
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2+2.68 EUR
10+1.97 EUR
100+1.54 EUR
250+1.50 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7938dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 13420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.73 EUR
10+1.93 EUR
100+1.44 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7938dp.pdf Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7938dp.pdf Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2814 Stücke:
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Anzahl Preis
40+1.83 EUR
48+1.50 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
48+1.50 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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