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SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3 Vishay

si7938dp.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7938DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SI7938DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.92 EUR bis 5.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7938dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.17 EUR
6000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
89+1.89 EUR
90+1.8 EUR
110+1.43 EUR
250+1.3 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+3 EUR
44+1.98 EUR
51+1.69 EUR
100+1.36 EUR
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001112938-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
105+2.05 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7938dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 19989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+2.63 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7938dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.29 EUR
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SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001112938-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
73+3.18 EUR
105+2.05 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.17 EUR
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SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.42 EUR
89+1.89 EUR
90+1.8 EUR
110+1.43 EUR
250+1.3 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+3 EUR
44+1.98 EUR
51+1.69 EUR
100+1.36 EUR
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 VISH-S-A0001112938-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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105+2.05 EUR
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5000+1.48 EUR
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SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 19989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.11 EUR
10+2.63 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.29 EUR
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SI7938DP-T1-GE3 VISH-S-A0001112938-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.32 EUR
73+3.18 EUR
105+2.05 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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