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Technische Details SI7938DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7938DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 2851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 2851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
auf Bestellung 13420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 37725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 10675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 12823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 18.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 46W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 46W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7938DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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