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SI7942DP-T1-GE3

SI7942DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors


72118.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Technische Details SI7942DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.9A, On-state resistance: 60mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 3.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 24nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Case: PowerPAK® SO8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7942DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix 72118-241305.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7942DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 72118.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
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SI7942DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 72118.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7942DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 72118.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
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