SI7942DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.07 EUR |
| 10+ | 3.48 EUR |
| 25+ | 3.4 EUR |
| 100+ | 2.9 EUR |
| 250+ | 2.82 EUR |
| 500+ | 2.64 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
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Technische Details SI7942DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.9A, On-state resistance: 60mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 3.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 24nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Case: PowerPAK® SO8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7942DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI7942DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7942DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 4991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7942DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.9A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7942DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.9A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Case: PowerPAK® SO8 |
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