SI7949DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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17+ | 3.2 EUR |
100+ | 2.54 EUR |
250+ | 2.33 EUR |
500+ | 2.12 EUR |
1000+ | 1.83 EUR |
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Technische Details SI7949DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7949DP-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI7949DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 16869 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 16869 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 3930 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY | SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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SI7949DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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