SI7994DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.95 EUR |
| 10+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.8 EUR |
| 3000+ | 2.6 EUR |
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Technische Details SI7994DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7994DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.96 EUR bis 5.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SI7994DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
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SI7994DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SI7994DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7994DP-T1-GE3 |
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auf Bestellung 13800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7994DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7994DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
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