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Technische Details SI7997DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7997DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.27 EUR bis 11.9 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 99083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
auf Bestellung 5316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Транз. Пол. БМ MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SI7997DP-T1-GE3 Produktcode: 150524
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Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SI7997DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI7997DP-T1-GE3 Multi channel transistors |
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