SI7998DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| 100+ | 1.6 EUR |
| 500+ | 1.35 EUR |
| 1000+ | 1.1 EUR |
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Technische Details SI7998DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 40W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI7998DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.1 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI7998DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
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SI7998DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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SI7998DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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SI7998DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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SI7998DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A/30A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7998DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A/30A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7998DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
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