Produkte > VISHAY > SI8425DB-T1-E1
SI8425DB-T1-E1

SI8425DB-T1-E1 Vishay

doc63909.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI8425DB-T1-E1 Vishay

Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SI8425DB-T1-E1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay doc63909.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay doc63909.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay doc63909.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay Semiconductors si8425db.pdf MOSFETs -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.95 EUR
100+0.64 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8425db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
20+1.06 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 VISHAY si8425db.pdf Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
181+1.29 EUR
272+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 VISHAY si8425db.pdf Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
181+1.29 EUR
272+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 doc63909.pdf
SI8425DB-T1-E1
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 doc63909.pdf
SI8425DB-T1-E1
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 doc63909.pdf
SI8425DB-T1-E1
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
SI8425DB-T1-E1
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.36 EUR
10+0.95 EUR
100+0.64 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
SI8425DB-T1-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.51 EUR
20+1.06 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
SI8425DB-T1-E1
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.99 EUR
181+1.29 EUR
272+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
SI8425DB-T1-E1
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.99 EUR
181+1.29 EUR
272+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH