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SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

si8457db.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-UFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
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434+0.4 EUR
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SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
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Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
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SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Semiconductors si8457db.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
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