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SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

si8457db.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
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Technische Details SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V.

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SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Hersteller : Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Hersteller : Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Semiconductors si8457db.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
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SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Hersteller : Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8457DB-T1-E1 Hersteller : VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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