Produkte > VISHAY > SI8472DB-T2-E1
SI8472DB-T2-E1

SI8472DB-T2-E1 Vishay


si8472db.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 2749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
625+0.25 EUR
635+ 0.24 EUR
636+ 0.23 EUR
637+ 0.22 EUR
638+ 0.21 EUR
639+ 0.2 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI8472DB-T2-E1 Vishay

Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote SI8472DB-T2-E1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8472db.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
636+0.25 EUR
637+ 0.24 EUR
638+ 0.23 EUR
639+ 0.22 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 636
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8472db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.44 EUR
6000+ 0.41 EUR
9000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Hersteller : Vishay Semiconductors si8472db.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
auf Bestellung 7562 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.99 EUR
61+ 0.87 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 53
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8472db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 12928 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.3 EUR
24+ 1.11 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001228514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001228514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.8W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8472db.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8472db.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI8472DB-T2-E1 Hersteller : VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar