Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > SI8483DB-T2-E1

SI8483DB-T2-E1


si8483db.pdf
Produktcode: 178232
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SI8483DB-T2-E1 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8483db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
15000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Semiconductors si8483db.pdf MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
auf Bestellung 45924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.5 EUR
100+0.46 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.28 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8483db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 16799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
24+0.75 EUR
100+0.53 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
15000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
auf Bestellung 45924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.68 EUR
10+0.5 EUR
100+0.46 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.28 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 16799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
24+0.75 EUR
100+0.53 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH