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SI8483DB-T2-E1

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Produktcode: 178232
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8483db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
15000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Semiconductors si8483db.pdf MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
auf Bestellung 45924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.6 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 VISHAY VISH-S-A0001229303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+1.06 EUR
322+0.73 EUR
364+0.6 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+1.06 EUR
322+0.73 EUR
364+0.6 EUR
500+0.43 EUR
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5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8483db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 16799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
24+0.89 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
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6000+0.32 EUR
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SI8483DB-T2-E1
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
236+1.06 EUR
322+0.73 EUR
364+0.6 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
236+1.06 EUR
322+0.73 EUR
364+0.6 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 16799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.36 EUR
24+0.89 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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