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SI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1 Vishay


doc63483.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
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Technische Details SI8487DB-T1-E1 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V.

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SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Hersteller : Vishay doc63483.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE551737A5FB820&compId=si8487db.pdf?ci_sign=c1b22e74a4c347447c92beac4d4a8d58c0cd7dd9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 1.8/0.73W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Power dissipation: 1.8/0.73W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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65+1.1 EUR
105+0.68 EUR
229+0.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 65
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Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 1.8/0.73W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Power dissipation: 1.8/0.73W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Semiconductors si8487db.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8487db.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
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