Produkte > VISHAY SILICONIX > SI8802DB-T2-E1
SI8802DB-T2-E1

SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix


si8802db.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.20 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.044 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI8802DB-T2-E1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.00 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8802db.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8802db.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8802db.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
584+0.25 EUR
589+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : Vishay / Siliconix si8802db.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 8962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.49 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8802db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 24677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.00 EUR
31+0.57 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.044 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.044 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8802db.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8802db.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8802db.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 Hersteller : VISHAY si8802db.pdf SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH