SI8817DB-T2-E1 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details SI8817DB-T2-E1 VISHAY
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI8817DB-T2-E1 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI8817DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V |
auf Bestellung 2539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
auf Bestellung 37105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI8817DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI8817DB-T2-E1 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 237+ | 1.06 EUR |
| 308+ | 0.75 EUR |
| SI8817DB-T2-E1 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Supplier Device Package: 4-Microfoot
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Supplier Device Package: 4-Microfoot
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|---|---|
| 16+ | 1.38 EUR |
| 25+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| SI8817DB-T2-E1 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 37105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.4 EUR |
| 10+ | 0.87 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
| SI8817DB-T2-E1 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
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|---|---|
| 251+ | 0.7 EUR |
| 279+ | 0.61 EUR |
| 281+ | 0.58 EUR |
| 366+ | 0.43 EUR |
| 370+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |