SI9634DY-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Technische Details SI9634DY-T1-GE3 VISHAY
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SI9634DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 7351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI9634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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