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SI9634DY-T1-GE3

SI9634DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

si9634dy.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOIC8 2NCH 60V 6.2A
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Technische Details SI9634DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 VISHAY si9634dy.pdf Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7351 Stücke:
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SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 VISHAY si9634dy.pdf Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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SI9634DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
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SI9634DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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