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SI9634DY-T1-GE3

SI9634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si9634dy.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 35000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.71 EUR
7500+0.63 EUR
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Technische Details SI9634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si9634dy.pdf MOSFETs SOIC8 2NCH 60V 6.2A
auf Bestellung 5743 Stücke:
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2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
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SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9634dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 35324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
50+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 VISHAY si9634dy.pdf Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
130+1.8 EUR
195+1.09 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 VISHAY si9634dy.pdf Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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Dauer-Drainstrom Id: 8A
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.77 EUR
130+1.8 EUR
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500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOIC8 2NCH 60V 6.2A
auf Bestellung 5743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
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1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI9634DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
130+1.8 EUR
195+1.09 EUR
500+0.8 EUR
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5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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AnzahlPrivatkunde
100+2.77 EUR
130+1.8 EUR
195+1.09 EUR
500+0.8 EUR
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