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SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI9926CDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote SI9926CDY-T1-E3 nach Preis ab 0.81 EUR bis 4.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Vishay doc68606.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.4 EUR
42+2.03 EUR
48+1.8 EUR
68+1.26 EUR
100+1.08 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY 1866561.pdf Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
102+2.27 EUR
123+1.75 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si9926cd.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
2500+0.98 EUR
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SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.33 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002474114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
84+2.78 EUR
124+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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SI9926CDYT1E3 VISHAY
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SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+2.4 EUR
42+2.03 EUR
48+1.8 EUR
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SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.84 EUR
102+2.27 EUR
123+1.75 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
2500+0.98 EUR
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SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5031 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+3.64 EUR
10+2.33 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3 VISH-S-A0002474114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 357 Stücke:
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53+4.72 EUR
84+2.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDYT1E3
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 40000 Stücke:
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