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Technische Details SI9926CDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI9926CDY-T1-E3 nach Preis ab 0.45 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A On-state resistance: 22mΩ Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A On-state resistance: 22mΩ Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V |
auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 4412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 6582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 6582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI9926CDYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI9926CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |