SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 24500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.38 EUR |
| 5000+ | 0.35 EUR |
| 7500+ | 0.33 EUR |
| 12500+ | 0.32 EUR |
| 17500+ | 0.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI9933CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 51206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 25627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 13903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1163 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors |
auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |