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SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

si9933cdy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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5000+0.35 EUR
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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Anzahl Preis
2500+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
15000+0.34 EUR
20000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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330+0.44 EUR
395+0.36 EUR
400+0.34 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 330
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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312+0.45 EUR
313+0.43 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 291
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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328+0.43 EUR
330+0.41 EUR
395+0.33 EUR
400+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 279
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9933cdy.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
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3+1.36 EUR
10+0.90 EUR
25+0.89 EUR
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500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9933cdy.pdf Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 15963 Stücke:
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9933cdy.pdf Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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40+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
187+0.38 EUR
198+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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