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SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si9933cdy.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
12500+0.34 EUR
17500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2500+0.4 EUR
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10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+0.46 EUR
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
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Anzahl Preis
274+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 274
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
85+0.85 EUR
97+0.74 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
85+0.85 EUR
97+0.74 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9933cdy.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 51206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.51 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 24747 Stücke:
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Anzahl Preis
11+1.62 EUR
18+0.98 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14513 Stücke:
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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