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SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si9933cdy.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.43 EUR
12500+0.4 EUR
17500+0.39 EUR
25000+0.37 EUR
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Technische Details SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SI9933CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.44 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si9933cdy.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 48508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
auf Bestellung 88147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
165+1.42 EUR
252+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
165+1.42 EUR
252+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 Vishay si9933cdy.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
5000+0.44 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
274+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 48508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
auf Bestellung 88147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.93 EUR
18+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+2.44 EUR
165+1.42 EUR
252+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+2.44 EUR
165+1.42 EUR
252+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Hersteller: Vishay
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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