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SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

si9933cdy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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398+ 0.34 EUR
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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5000+ 0.52 EUR
12500+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI9933CDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+1 EUR
143+ 0.5 EUR
162+ 0.44 EUR
188+ 0.38 EUR
198+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 72
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI9933CDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9933cdy.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
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41+1.28 EUR
47+ 1.12 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.59 EUR
2500+ 0.54 EUR
5000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 41
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 23367 Stücke:
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18+1.46 EUR
21+ 1.26 EUR
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500+ 0.73 EUR
1000+ 0.62 EUR
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SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SI9933CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9933cdy.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1163 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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