SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 1.39 EUR |
| 10+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 2500+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.55 EUR |
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Technische Details SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI9945BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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| SI9945BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 11558 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI9945BDY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; SI9945BDY TSI9945bdy Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI9945BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9945BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI9945BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI9945BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI9945BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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