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SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si9945bdy.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
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Technische Details SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SI9945BDY-T1-GE3 Siliconix si9945bdy.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; SI9945BDY TSI9945bdy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI9945BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
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Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; SI9945BDY TSI9945bdy
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2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 5,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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