SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.41 EUR |
| 6000+ | 0.39 EUR |
| 9000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.
Weitere Produktangebote SIA416DJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SIA416DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V |
auf Bestellung 9559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA416DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
auf Bestellung 13010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA416DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 3725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA416DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA416DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W Mounting: SMD On-state resistance: 83mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 15A Case: PowerPAK® SC70 Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.3A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIA416DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W Mounting: SMD On-state resistance: 83mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 15A Case: PowerPAK® SC70 Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.3A |
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