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Technische Details SIA429DJT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIA429DJT-T1-GE3 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.3 EUR
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 20675 Stücke: Lieferzeit 870-874 Tag (e) |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V |
auf Bestellung 20785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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