SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.47 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.34 EUR |
| 3000+ | 0.28 EUR |
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Technische Details SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 19.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.
Weitere Produktangebote SIA430DJT-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA430DJT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 19.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
auf Bestellung 3722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIA430DJT-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
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