Produkte > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIA430DJT-T1-GE3
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sia430djt-1504771.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
auf Bestellung 13935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.99 EUR
10+0.85 EUR
100+0.63 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIA430DJT-T1-GE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIA430DJT-T1-GE3 SIA430DJT-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA430DJT-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH