SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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|---|---|
| 3+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.47 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.34 EUR |
| 3000+ | 0.28 EUR |
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Technische Details SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIA430DJT-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIA430DJT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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| SIA430DJT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 12A; Idm: 40A Kind of channel: enhancement Case: PowerPAK® SC70 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 19.2W Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±20V |
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