SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
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Technische Details SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, Verlustleistung: 3.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Weitere Produktangebote SIA431DJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V |
auf Bestellung 8797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 75082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA431DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 3.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
auf Bestellung 2565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIA431DJ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
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Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.43 EUR |
| 20+ | 0.89 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| SIA431DJ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 75082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.44 EUR |
| 10+ | 0.89 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.35 EUR |
| 6000+ | 0.32 EUR |
| SIA431DJ-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIA431DJ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.18 EUR |
| SIA431DJ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.18 EUR |