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SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
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