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Technische Details SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIA433EDJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.11 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V |
auf Bestellung 8146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 9165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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