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SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sia437dj.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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Technische Details SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISHS91828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
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SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia437dj.pdf Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia437dj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
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SIA437DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia437dj.pdf SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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