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SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3 Vishay


sia440dj.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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Technische Details SIA440DJ-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sia440dj.pdf MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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Mindestbestellmenge: 5
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
auf Bestellung 15985 Stücke:
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Anzahl Preis
22+0.83 EUR
35+0.51 EUR
100+0.40 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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SIA440DJ-T1-GE3
Produktcode: 192984
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia440dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia440dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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