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Technische Details SIA440DJ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIA440DJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.83 EUR
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 162171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 24126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V |
auf Bestellung 15985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 132296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA440DJ-T1-GE3 Produktcode: 192984
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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