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SIA440DJ-T1-GE3

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Produktcode: 192984
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 24126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
131+0.65 EUR
159+0.54 EUR
184+0.46 EUR
214+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia440dj.pdf MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 86277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.61 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 32366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
203+1.14 EUR
316+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 27AK1000
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 20587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.82 EUR
225+1.04 EUR
271+0.8 EUR
342+0.63 EUR
387+0.56 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 24126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
432+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+0.94 EUR
131+0.65 EUR
159+0.54 EUR
184+0.46 EUR
214+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 86277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.98 EUR
10+0.61 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.43 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 32366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.98 EUR
203+1.14 EUR
316+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA440DJ-T1-GE3 VISH-S-A0001142037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 27AK1000
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 20587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
138+1.82 EUR
225+1.04 EUR
271+0.8 EUR
342+0.63 EUR
387+0.56 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH