Produkte > VISHAY SILICONIX > SiA445EDJT-T1-GE3
SiA445EDJT-T1-GE3

SiA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia445edjt.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SiA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote SiA445EDJT-T1-GE3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SiA445EDJT-T1-GE3 SiA445EDJT-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia445edjt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.76 EUR
28+0.65 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA445EDJT-T1-GE3 SiA445EDJT-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sia445edjt.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
auf Bestellung 66877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.91 EUR
10+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA445EDJT-T1-GE3 SIA445EDJT-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia445edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA445EDJT-T1-GE3 SIA445EDJT-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia445edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA445EDJT-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia445edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH