Produkte > VISHAY > SIA466EDJ-T1-GE3
SIA466EDJ-T1-GE3

SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay

sia466edj.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
426+0.4 EUR
432+0.39 EUR
433+0.36 EUR
434+0.35 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 426 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 19.2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

Weitere Produktangebote SIA466EDJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay sia466edj.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay sia466edj.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
411+0.43 EUR
413+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia466edj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia466edj.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 54456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.93 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia466edj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
23+0.94 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 VISHAY sia466edj.pdf Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 VISHAY sia466edj.pdf Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
435+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
411+0.43 EUR
413+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 54456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.98 EUR
10+0.93 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.99 EUR
23+0.94 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.4 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.4 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH