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Technische Details SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIA466EDJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SIA466EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA466EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA466EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA466EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V |
auf Bestellung 6385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA466EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 16735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA466EDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA466EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIA466EDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |