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SiA469DJ-T1-GE3

SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix


sia469dj.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
auf Bestellung 111000 Stücke:

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Technische Details SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia469dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
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SiA469DJ-T1-GE3 SiA469DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sia469dj.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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SiA469DJ-T1-GE3 SiA469DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia469dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
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SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia469dj.pdf Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 18635 Stücke:
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SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002931298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SiA469DJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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196+0.37 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 196
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SiA469DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia469dj.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L
auf Bestellung 2 Stücke:
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SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia469dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
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SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia469dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
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SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia469dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
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