SIA483ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIA483ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 17.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIA483ADJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA483ADJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA483ADJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 87617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA483ADJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SIA483ADJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| SIA483ADJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
P Channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| SIA483ADJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |