Produkte > VISHAY SILICONIX > SIA537EDJ-T1-GE3
SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia537edj.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.35 EUR
6000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote SIA537EDJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sia537edj.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 8909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.05 EUR
10+0.89 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia537edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 8395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.06 EUR
20+0.90 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay sia537edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA537EDJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia537edj.pdf SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH