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SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sia921ed.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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Technische Details SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia921ed.pdf Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
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Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sia921ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
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SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia921ed.pdf Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
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Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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SIA921EDJ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sia921ed.pdf SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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