SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
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Technische Details SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 19W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pins, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm.
Weitere Produktangebote SIAA02DJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIAA02DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V |
auf Bestellung 4230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIAA02DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
auf Bestellung 21430 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIAA02DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm |
auf Bestellung 5313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIAA02DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm |
auf Bestellung 5313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIAA02DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 52A; Idm: 100A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 52A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 19W On-state resistance: 16.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIAA02DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 52A; Idm: 100A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 52A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 19W On-state resistance: 16.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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