SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
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Technische Details SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 10W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIB4316EDK-T1-GE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIB4316EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 10W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIB4316EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V |
auf Bestellung 8304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB4316EDK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SC75 N-CH 30V 4.5A |
auf Bestellung 28172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB4316EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIB4316EDK-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIB4316EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 10W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 10W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 269+ | 0.87 EUR |
| 404+ | 0.54 EUR |
| 513+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| SIB4316EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
auf Bestellung 8304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.21 EUR |
| 28+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| SIB4316EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SC75 N-CH 30V 4.5A
MOSFETs SC75 N-CH 30V 4.5A
auf Bestellung 28172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.23 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |
| SIB4316EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 178+ | 1.4 EUR |
| 296+ | 0.79 EUR |
| 393+ | 0.55 EUR |
| 513+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| SIB4316EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)