SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.22 EUR |
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Technische Details SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 10W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIB4316EDK-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SIB4316EDK-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V |
auf Bestellung 8950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB4316EDK-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 30V |
auf Bestellung 27885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB4316EDK-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIB4316EDK-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIB4316EDK-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 10W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |