SIB4317EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
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Technische Details SIB4317EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 10W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, Verlustleistung: 10W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.
Weitere Produktangebote SIB4317EDK-T1-GE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIB4317EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 9499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB4317EDK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SC75 P-CH 30V 4.3A |
auf Bestellung 26174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB4317EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 14989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIB4317EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 10W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 14989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIB4317EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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| 25+ | 0.86 EUR |
| 29+ | 0.73 EUR |
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| 1000+ | 0.32 EUR |
| SIB4317EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SC75 P-CH 30V 4.3A
MOSFETs SC75 P-CH 30V 4.3A
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| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 9000+ | 0.31 EUR |
| SIB4317EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 14989 Stücke:
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| SIB4317EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 10W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Verlustleistung Pd: 10W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
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