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SIB452DK-T1-GE3.

SIB452DK-T1-GE3. VISHAY

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB452DK-T1-GE3. - N CHANNEL MOSFET, 190V, 1.5A, SC-75
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 13W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
205+1.23 EUR
286+0.81 EUR
304+0.7 EUR
334+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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Technische Details SIB452DK-T1-GE3. VISHAY

Description: VISHAY - SIB452DK-T1-GE3. - N CHANNEL MOSFET, 190V, 1.5A, SC-75, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 13W, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022), Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, directShipCharge: 25.