Produkte > VISHAY SILICONIX > SIB452DK-T1-GE3
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

sib452dk.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.42 EUR
9000+0.41 EUR
15000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote SIB452DK-T1-GE3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sib452dk.pdf MOSFETs 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 25465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.47 EUR
10+1.00 EUR
100+0.69 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sib452dk.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
auf Bestellung 26491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.48 EUR
18+1.01 EUR
100+0.70 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Hersteller : Vishay sib452dk.pdf Trans MOSFET N-CH 190V 1.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sib452dk.pdf SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH