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SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
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Technische Details SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIB456DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.3 A, 0.153 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 6.3, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 13, Bauform - Transistor: PowerPAK SC75, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.153, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 1.6, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIB456DK-T1-GE3 SIB456DK-T1-GE3 Vishay Semiconductors sib456dk.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
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