SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.35 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
| 9000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.4W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC75, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm.
Weitere Produktangebote SIB457EDK-T1-GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIB457EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V |
auf Bestellung 13073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB457EDK-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75 |
auf Bestellung 78553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB457EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.4W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC75 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIB457EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIB457EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.26 EUR |
| 22+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| SIB457EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 78553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.68 EUR |
| 10+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 3000+ | 0.4 EUR |
| 6000+ | 0.37 EUR |
| SIB457EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIB457EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)