SIB5215DK-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB5215DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIB5215DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details SIB5215DK-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIB5215DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIB5215DK-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIB5215DK-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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