SICW025N120H-BP Micro Commercial Components (MCC)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 24.73 EUR |
| 10+ | 21.81 EUR |
| 25+ | 21.79 EUR |
| 100+ | 19.68 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SICW025N120H-BP Micro Commercial Components (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SICW025N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247AB, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SICW025N120H-BP nach Preis ab 18.49 EUR bis 26.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW025N120H-BP | Hersteller : MCC (Micro Commercial Components) |
 Description: SIC MOSFET,TO-247ABPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Supplier Device Package: TO-247AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
SICW025N120H-BP | Hersteller : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SICW025N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247AB tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |