SICW040N120H-BP MCC (Micro Commercial Components)
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V
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Technische Details SICW040N120H-BP MCC (Micro Commercial Components)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW040N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247AB, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 326W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.
Weitere Produktangebote SICW040N120H-BP nach Preis ab 14.65 EUR bis 29.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SICW040N120H-BP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) |
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW040N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247AB tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 326W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SICW040N120H-BP |
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Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW040N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247AB
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW040N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247AB
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 326W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 29.89 EUR |
| 10+ | 23.6 EUR |
| 12+ | 17.93 EUR |
| 50+ | 16.45 EUR |
| 100+ | 14.95 EUR |
| 250+ | 14.65 EUR |