SIDR500EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SIDR500EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 421, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 390, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote SIDR500EP-T1-RE3 nach Preis ab 2.78 EUR bis 5.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIDR500EP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR500EP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK |
auf Bestellung 15809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR500EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 5988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR500EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 421 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 390 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 5988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIDR500EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 421A On-state resistance: 0.68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Gate charge: 180nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 500A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIDR500EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 421A On-state resistance: 0.68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Gate charge: 180nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 500A |
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