SIDR510EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
FET Type: N-Channel
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Technische Details SIDR510EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Weitere Produktangebote SIDR510EP-T1-RE3 nach Preis ab 2.73 EUR bis 6.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIDR510EP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs SOT669 100V 148A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 4914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR510EP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR510EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
auf Bestellung 3082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SIDR510EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDR510EP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs SOT669 100V 148A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 100V 148A N-CH MOSFET
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 5.84 EUR |
| 10+ | 4.61 EUR |
| 100+ | 3.69 EUR |
| 500+ | 3.64 EUR |
| 3000+ | 3.01 EUR |
| 6000+ | 3 EUR |
| SIDR510EP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 4+ | 6.75 EUR |
| 10+ | 4.41 EUR |
| 100+ | 3.09 EUR |
| 500+ | 2.73 EUR |
| SIDR510EP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3082 Stücke:
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| SIDR510EP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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