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Technische Details SIDR5802EP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 153A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIDR5802EP-T1-RE3 nach Preis ab 2.02 EUR bis 5.42 EUR
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SIDR5802EP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR5802EP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs POWRPK N CHAN 80V |
auf Bestellung 12427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR5802EP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR5802EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 153A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR5802EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 153A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR5802EP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V |
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| SIDR5802EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 60nC On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 150W Drain current: 153A Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 300A Kind of channel: enhancement |
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