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SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sidr622dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.23 EUR
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Technische Details SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 VISHAY 2687476.pdf Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.75 EUR
10+4.41 EUR
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SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 VISHAY sidr622dp.pdf Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.12 EUR
47+5.03 EUR
100+3.49 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sidr622dp.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+4.82 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.76 EUR
3000+2.57 EUR
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SIDR622DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIDR622DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.75 EUR
10+4.41 EUR
100+3.09 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5678 Stücke:
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36+7.12 EUR
47+5.03 EUR
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
auf Bestellung 785 Stücke:
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1+7.38 EUR
10+4.82 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.76 EUR
3000+2.57 EUR
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