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SIDR626LDP-T1-RE3

SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr626ldp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIDR626LDP-T1-RE3 nach Preis ab 3.72 EUR bis 10.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIDR626LDP-T1-RE3 SIDR626LDP-T1-RE3 VISHAY 3164658.pdf Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.55 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIDR626LDP-T1-RE3 SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sidr626ldp.pdf MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 45.6A
auf Bestellung 7248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.48 EUR
10+6.01 EUR
100+4.52 EUR
500+4 EUR
3000+3.77 EUR
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SIDR626LDP-T1-RE3 SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
auf Bestellung 25677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.73 EUR
10+6.46 EUR
100+4.59 EUR
500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIDR626LDP-T1-RE3 SIDR626LDP-T1-RE3 VISHAY 3164658.pdf Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.65 EUR
39+6.08 EUR
100+4.55 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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SIDR626LDP-T1-RE3 VISHAY sidr626ldp.pdf Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 42AJ0357
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
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rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.29 EUR
42+5.64 EUR
46+4.71 EUR
50+4.33 EUR
100+4.09 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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SIDR626LDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIDR626LDP-T1-RE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 45.6A
auf Bestellung 7248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.48 EUR
10+6.01 EUR
100+4.52 EUR
500+4 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
auf Bestellung 25677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.73 EUR
10+6.46 EUR
100+4.59 EUR
500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIDR626LDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.65 EUR
39+6.08 EUR
100+4.55 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 42AJ0357
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2950 Stücke:
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27+9.29 EUR
42+5.64 EUR
46+4.71 EUR
50+4.33 EUR
100+4.09 EUR
500+3.86 EUR
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