SIDR626LEP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 5.32 EUR |
| 100+ | 4.51 EUR |
| 500+ | 4.01 EUR |
| 1000+ | 3.43 EUR |
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Technische Details SIDR626LEP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 218A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm.
Weitere Produktangebote SIDR626LEP-T1-RE3 nach Preis ab 3.95 EUR bis 8.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIDR626LEP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF |
auf Bestellung 3178 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIDR626LEP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 218A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 8299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR626LEP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 218A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 8299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR626LEP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 48.7A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIDR626LEP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 218A; Idm: 300A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 218A On-state resistance: 2.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 135nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIDR626LEP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V |
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| SIDR626LEP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 218A; Idm: 300A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 218A On-state resistance: 2.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 135nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A |
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