SIDR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.08 EUR |
| 10+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
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Technische Details SIDR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIDR668ADP-T1-RE3 nach Preis ab 1.90 EUR bis 4.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SIDR668ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC |
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SIDR668ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SIDR668ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
SIDR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIDR668ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V |
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