Produkte > VISHAY > SIDR870ADP-T1-GE3
SIDR870ADP-T1-GE3

SIDR870ADP-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0011098182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 31897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 100 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIDR870ADP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm.

Weitere Produktangebote SIDR870ADP-T1-GE3 nach Preis ab 1.73 EUR bis 6.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIDR870ADP-T1-GE3 SIDR870ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors powerpakso8.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
auf Bestellung 21298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+2.67 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR870ADP-T1-GE3 SIDR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix powerpakso8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.53 EUR
50+2.7 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR870ADP-T1-GE3 SIDR870ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011098182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 31897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
76+3.08 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR870ADP-T1-GE3 powerpakso8.pdf
SIDR870ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
auf Bestellung 21298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.37 EUR
10+2.67 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR870ADP-T1-GE3 powerpakso8.pdf
SIDR870ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.49 EUR
10+3.53 EUR
50+2.7 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR870ADP-T1-GE3 VISH-S-A0011098182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIDR870ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 31897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.72 EUR
76+3.08 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH